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| 年度 | 107 |
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| 專利名稱 | 經羧基修飾之二硫化鉬的合成方法 |
| 專利國別 | 中華民國、美國 |
| 發明人 | 邱南福 |
| 共同發明人 | 林庭莉 |
| 核准證號 | I640478、US10,815,259B2 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 光電工程研究所 |
| 專利簡介 | 本發明係提供一種經羧基修飾之二硫化鉬的合成方法，包含：a)製備一二硫化鉬溶液；b)於該二硫化鉬溶液中加入溴化氫(HBr)並進行攪拌；以及c)於步驟b)所製得之溶液中加入草酸並進行攪拌。本發明之方法所合成的二硫化鉬可應用於生物感測晶片中，藉由該二硫化鉬係經羧基修飾之特性，可有效地提升應用該生物感測晶片之檢測裝置的靈敏度。 |
| 專利期限 | 2038-04-25 |
| 技術領域 | 光電工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，在生物感測材料、醫藥感測材料、食品感測材料電池、光電元件、及潤滑劑均可應用本技術。 |
| 關鍵字1 | 二硫化鉬 |
| 關鍵字2 | 生物感測晶片 |
