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| 年度 | 110 |
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| 專利名稱 | 混合式儲存記憶體 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 共同發明人 | |
| 核准證號 | I 744663 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明提供一種混合式儲存記憶體，利用於該記憶體形成由負電容鐵電層及反鐵電層堆疊而得的儲存層疊結構，而得以有效改善記憶體的漏電流和次臨界擺幅特性，並提升操作耐受度。 |
| 專利期限 | 2039-07-01 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利適用於半導體產業、記憶體產業等之相關應用，如Flash Memory、DRAM、Cell phone、Camera、Laptop。 |
| 關鍵字1 | 記憶體 |
| 關鍵字2 | 半導體 |
| 關鍵字3 | 電容 |
