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| 年度 | 109 |
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| 專利名稱 | 具垂直型場效電晶體的混合式儲存記憶體 |
| 專利國別 | 中華民國、美國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 共同發明人 | |
| 核准證號 | I683420、US10,872,966B1 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明提供一種具垂直型場效電晶體的混合式儲存記憶體，利用於垂直型場效電晶體形成由負電容鐵電層及反鐵電層堆疊而得的儲存層疊結構，而得以有效改善記憶體的漏電流、寫入/抹除操作電壓，以及提升記憶體元件操作速度。 |
| 專利期限 | 2039-11-07 |
| 技術領域 | 機械工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，適用於半導體產業、記憶體產業、IC設計產業之相關應用，如NAND Flash memory、Solid State Drive、Memory stick、Hard disk。 |
| 關鍵字1 | 半導體 |
| 關鍵字2 | 電晶體 |
| 關鍵字3 | 記憶體 |
