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| 年度 | 107 |
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| 專利名稱 | 半導體裝置及其製造方法 |
| 專利國別 | 中華民國、美國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 共同發明人 | 張俊彥、邱于建 |
| 核准證號 | I612662、US9,871,112B1 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 一種半導體裝置，包含基材、通道層、阻障層、源極/汲極、p型氮化物層及應變閘極。通道層配置於基材上。阻障層配置於通道層上。源極及汲極分別配置於阻障層之兩側。p型氮化物層配置於阻障層上。應變閘極配置於p型氮化物層上，應變閘極用於調整通道層的第一應變與阻障層的第二應變。 |
| 專利期限 | 2037-03-20 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，適用於半導體產業、光電產業之相關應用，如Schottky diode 、RF device、High-voltage HEMT、Power device、Power switch。 |
| 關鍵字1 | 半導體 |
| 關鍵字2 | 鐵電性 |
| 關鍵字3 | 負電容效應 |
