:::
| 年度 | 107 |
|---|---|
| 專利名稱 | 採用應變閘極工程與鐵電負電容介電質之動態隨機記憶體及其製造方法 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 共同發明人 | 張俊彥、邱于建 |
| 核准證號 | I611515 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明揭露一種動態隨機記憶體及其製造方法。動態隨機記憶體之儲存元包含鰭狀式電晶體及電容。鰭狀式電晶體之閘極由具有應力之應變效果的氮化或碳化金屬構成。鰭狀式電晶體之閘極介電質及/或電容之介電質由具有負電容特性之鐵電材料構成。透過應變閘極工程之應用，本發明可達到下列功效：(1)增強介電質之鐵電特性，藉以提升鰭狀式電晶體之操作速度及耐久性；(2)增強鐵電負電容效應，藉以改善鰭狀式電晶體之次臨界擺幅，致使鰭狀式電晶體之切換耗能及關閉狀態漏電流降低，以有效提升電容的電荷保存能力並改善動態隨機記憶體之操作特性。 |
| 專利期限 | 2036-11-14 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
|
| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，適用於半導體產業、記憶體產業。之相關應用，如DRAM、Cell phone、Camera、laptop。 |
| 關鍵字1 | 記憶體 |
| 關鍵字2 | 半導體 |
| 關鍵字3 | 鐵電負電容 |
