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| 年度 | 107 |
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| 專利名稱 | 快閃記憶體結構及其製造方法 |
| 專利國別 | 中華民國、美國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 共同發明人 | 張俊彥、邱于建 |
| 核准證號 | I621215、US10,515,980B2 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明係關於一種快閃記憶體結構及其製造方法。本發明之快閃記憶體結構包含一基板、一源極、一汲極、一通道絕緣層、一鐵電-電荷捕捉層、至少一阻擋絕緣層及至少一閘極。基板由一半導體材料製成。源極形成於基板上。汲極形成於基板上並與源極分隔開。通道絕緣層形成於基板上。鐵電-電荷捕捉層形成於通道絕緣層上，並包含一電荷捕捉層及一鐵電負電容效應層。至少一阻擋絕緣層形成於鐵電-電荷捕捉層上。至少一閘極形成於阻擋絕緣層上。鐵電負電容效應層由一具鐵電負電容效應材料製成。 |
| 專利期限 | 2037-12-26 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，適用於半導體產業、記憶體產業、IC設計產業之相關應用，如NAND Flash memory、Solid State Drive、Memory stick、Hard disk。 |
| 關鍵字1 | 記憶體 |
| 關鍵字2 | 半導體 |
| 關鍵字3 | 負電容效應 |
