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| 年度 | 103 |
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| 專利名稱 | 具有抗反射表面的太陽電池的製造方法 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 楊啟榮 |
| 共同發明人 | 李幸憲、張淑芳、黃茂榕、邱源成、李榮宗 |
| 核准證號 | I430467 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 一種具有抗反射表面的太陽電池的製造方法，包括下列步驟：(1)提供一矽基板，該矽基板具有正面與背面；(2)形成一第一氮化矽層於該正面上；(3)舖設奈米球於該氮化矽層上，以奈米球為第一蝕刻遮罩；(4)以反應式離子蝕刻技術蝕刻該氮化矽層，形成蝕刻窗於該氮化矽層上；(5)移除該奈米球；(6)蝕刻該矽基板用以形成深凹型結構；以及(7)在該矽基板的該正面形成一正面電極，而在該背面形成一背面電極。 |
| 專利期限 | 2028-04-20 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 有鑑於以傳統的太陽電池的製作方法對於抗反射效能的提昇極為有限，本發明在矽基表面上作高深寬比的結構，透過高深寬比的結構來達到抗反射的效果並進而提昇光電轉換的效率。 |
| 關鍵字1 | 抗反射 |
| 關鍵字2 | 太陽電池 |
