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| 年度 | 108 |
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| 專利名稱 | 氣體檢測晶片及其製作方法 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 張天立 |
| 共同發明人 | 周承穎、黃啟航 |
| 核准證號 | I672487 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明提供一種氣體檢測晶片及其製作方法。該氣體檢測晶片包含一基板、一設於該基板的部分表面的電極單元，及一形成於該基板裸露的表面及該電極單元的感測層，該電極單元的材料包括石墨烯及導電高分子，且該感測層由氧化鋅為材料構成。該氣體檢測晶片的製作方法包含步驟(a)：於一基板的表面覆蓋一石墨烯層，並利用短脈衝雷射將該石墨烯層進行圖案化，而形成一具有二個彼此相間隔的電極的電極單元，及步驟(b)：於該電極單元及該基板裸露的表面利用水熱法成長氧化鋅，而得一由氧化鋅構成的感測層，且該水熱法的溫度不大於90℃。 |
| 專利期限 | 2038-08-22 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具有產業利用性，為微機電晶片系統整合技術，在光電通訊技術領域如手機、平板等手持可攜式電子裝置上可使用。 |
| 關鍵字1 | 氣體檢測晶片 |
| 關鍵字2 | 電極 |
| 關鍵字3 | 溫度 |
