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| 年度 | 107 |
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| 專利名稱 | 以超快雷射製作常溫氣體檢測晶片的薄膜電極的方法 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 張天立 |
| 共同發明人 | 周承穎、黃啟航 |
| 核准證號 | I631236 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明係提供一種以超快雷射製作常溫氣體檢測晶片的薄膜電極的方法，其包含在一基板上製作一薄膜，以及在常溫下，以超快雷射製程剝蝕薄膜，以形成具有一電極圖案的一薄膜電極，本發明主要利用超快雷射掃描製程之非接觸性加工(Non-contact machining)方式，搭配鏡組掃描整合技術，以製作導電薄膜電極，並整合無線氣體檢測晶片，該製造上產生更少污染及損耗，且又能進行更複雜更快加工程序的綠色生產方式，以符合產品之需求。 |
| 專利期限 | 2037-07-16 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 |
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| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具有產業利用性，為微機電晶片系統整合技術，在光電通訊技術領域如手機、平板等手持可攜式電子裝置上可使用。 |
| 關鍵字1 | 超快雷射 |
| 關鍵字2 | 氣體檢測晶片 |
| 關鍵字3 | 薄膜電極 |
